| 硅熔体中碳化硅熔解与硅晶体中碳化硅生长 |
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| 引用本文： | 周蔺桐,章爱生,尹传强,刘小平,周浪.硅熔体中碳化硅熔解与硅晶体中碳化硅生长[J].水土保持通报,2011,29(4). |
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| 作者姓名： | 周蔺桐 章爱生 尹传强 刘小平 周浪 |
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| 作者单位： | 南昌大学材料学院／太阳能光伏学院,江西南昌,330031 |
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| 基金项目： | 江西省教育厅科技计划资助项目 |
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| 摘 要： | 工业生产的太阳能电池用多晶硅锭内部常出现碳化硅夹杂,影响太阳能电池的转换效率,特别是严重威胁硅片的切割生产过程。本文研究了硅熔体中碳化硅熔解与硅晶体中碳化硅沉淀生长特性。在熔解实验中发现：即使在碳显著过饱和的情况下,碳化硅仍会熔解在1450℃的硅熔体中,同时熔体中易形核处发生新的碳化硅颗粒析出。在1350℃下进行了硅料中碳化硅沉淀的固相生长实验,结果表明晶体硅中碳化硅沉淀的高温固态生长十分缓慢。这一特性得到理论计算证实,它表明固相生长不可能是多晶硅锭中出现大颗粒碳化硅的原因。
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| 关 键 词： | 硅熔体 硅晶体 碳化硅 |
Dissolution in Silicon Melt and Growth in Silicon Crystals of SiC Precipitates |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon melt silicon crystal silicon carbide |
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