首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  免费   1篇
林业   1篇
  4篇
综合类   1篇
  2007年   1篇
  2006年   4篇
  2004年   1篇
排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
反义PSY基因植物表达载体的构建及其对中国水仙的转化   总被引:7,自引:0,他引:7  
实验从中国水仙花瓣中分离得到该基因的572bp的片段,将该片段反向连接到pCAMBIA1301双元载体质粒上,得到CaMV 35S组成型启动子的表达载体pCAM35S-PSY,用“冻融法”将pCAM35S-PSY质粒转入农杆菌LBA4404和EHA105两个菌株中。PCR扩增和酶切鉴定结果表明,所构建的反义表达载体pCAM35S-PSY是正确的并已经成功导入农杆菌中。随后,按照业已建立的遗传转化体系对中国水仙进行了遗传转化,得到了转基因抗性芽。  相似文献   
2.
侯大强  柴明良  庄晓英 《核农学报》2006,20(3):248-251,173
以春石斛兰(Dendrobium nobileSw.)为试材,研究了类原球茎在分化芽和根系发生过程中抗氧化酶系统中多种酶活性及可溶性蛋白的变化规律。结果表明,在分化过程中抗坏血酸过氧化物酶(APX)、愈创木酚过氧化物酶(POD)、多酚氧化酶(PPO)和过氧化氢酶(CAT)的活性和可溶性蛋白含量均呈现先降后升的趋势;超氧化物歧化酶(SOD)活性则呈现先升后降的变化。对过氧化物酶同工酶和可溶性蛋白进行SDS-PAGE电泳发现,在分化过程中均有新谱带的产生或原有谱带的消失。  相似文献   
3.
中国水仙离体诱变研究   总被引:4,自引:1,他引:4  
以带鳞片叶的鳞茎盘为外植体,接种在添加激素的MS培养基上,通过激素组合筛选合适的培养基获得不定芽,同时对在预分化培养基上接种7D的外植体、接种25D后转接到分化培养基上3D的外植体、诱导产生的试管小鳞茎进行辐照诱变处理,研究了60COΓ射线对中国水仙丛生芽分化以及小鳞茎生长的影响。结果表明,接种7D的外植体更适合作为水仙离体诱变的材料,其不分化剂量为50~60GY,半剂量为15~20GY,在10和15GY处理中,发现了两种小鳞茎突变类型,一种为叶片数增多的矮化突变体,一种为试管小球茎膨大速度加快,所以适宜辐射诱变的剂量为10~20GY。试管小鳞茎的辐射致死剂量约为50GY,半致死剂量为25GY。  相似文献   
4.
以2-3年生中国水仙鳞茎为材料,研究了冷处理对水仙鳞茎生理状态的影响以及不定芽分化过程生理生化代谢的变化。冷处理降低了中国水仙鳞茎的总糖、蔗糖以及淀粉含量,还原糖和可溶性蛋白含量以及POD、CAT等活性也显著升高,这些生理变化与冷处理后鳞茎盘分化所需时间缩短及分化能力增强有关;处于不同分化时期鳞茎盘的抗氧化酶活性及可溶性蛋白含量随培养时间的延长,均表现为先升高后降低的变化趋势,在接种后4-10d达到峰值,可以初步确定抗氧化酶活性和可溶性蛋白含量的规律性变化与鳞茎盘的分化相关。  相似文献   
5.
萝卜肉质根膨大过程库活性与蛋白质变化研究   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
通过对萝卜肉质根膨大过程中干物质在根、冠部的分配以及蔗糖代谢相关酶活性变化等的研究,结果发现在播种后27 d根部库活性最强,碳水化合物主要向地下部输送,直根开始膨大.库活性的变化与蔗糖转化酶活性无明显相关性.对可溶性蛋白进行SDS-PAGE分析发现,虽然叶片中蛋白质表达无明显差异,但在播后24 d直根中有一条特异蛋白质条带出现,其表达量随肉质根生长而加大,其作用有待进一步验证.  相似文献   
6.
长期离体培养的春石斛兰类原球茎生长及生根条件的优化   总被引:4,自引:0,他引:4  
侯大强  柴明良  庄晓英 《核农学报》2006,20(5):392-394,397
为解决春石斛兰(Dendrobium nobile)类原球茎(protocorm-like body,简称PLB)长时期离体培养后生长缓慢、形成的嫩梢瘦小及根系难于发生等问题,本文从生长调节剂、有机添加物、蔗糖和嫩梢高度等因子,对PLB的增殖、生长与生根等方面进行了系统研究。结果表明:0.5mg/L BA最适合PLB增殖和生长;20g/L的蔗糖最适合嫩梢的生根;IBA虽在一定程度上促进生根,但嫩梢高度才是决定生根的关键,2.5cm的嫩稍在添加0.05mg/L的IBA的培养基上,生根率提高到51.11%;鲜重增长倍数与PLB增殖倍数的比值(F/P值)是衡量PLB正常生长与否的一个重要指标,F/P≥0.6时,PLB生长健壮。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号