玉蜀黍尾孢菌CzVelB基因功能分析

以获得的野生型和CzVelB敲除突变体菌株为供试菌株,分别对其进行生物学及致病力测定,在此基础上分析毒素和细胞壁降解酶的活性。结果表明,与野生型相比,敲除CzVelB后菌丝生长速率及颜色无明显差异,但产孢量下降56.6%,且孢子萌发率下降,萌发过程滞后1 h。致病性分析发现,敲除CzVelB后菌株致病性明显下降,病情指数、病斑大小,突变体均低于野生型。分析毒素对叶片的致病性发现,突变体所产生的毒素低于野生型产生的毒素。敲除突变体菌株ΔCzVelB及野生型菌株在活体内外均能产生5种细胞壁降解酶,其中敲除CzVelB后,5种离体病原菌细胞壁降解酶活性明显下降。分析侵染过程中5种细胞壁降解酶发现,CzVelB主要通过影响CX和PMG在接种前期12 h内起重要作用;在接种后期(72～96 h),CzVelB主要通过影响PGTE的活性调控玉蜀黍尾孢菌致病力。     

高压正静电场对柠檬表面蜡质亲水性的影响

为探明在静电保鲜过程中不同电场参数对柠檬表皮蜡质亲水分子的影响,以柠檬角质层中成分含量最多的十六烷酸分子为研究对象,用分子模拟与理论分析和试验研究相结合的方法测定高压正静电场对柠檬表皮蜡质亲水性影响。结果表明,利用Materials Studio软件预测出正电场强度为180 kV/m时,十六烷基分子的MSD指数和偶极矩值均达到最小,亲水性最低。进一步用傅立叶红外光谱仪检测到,200 kV/m处理6天对十六烷酸羟基基团的抑制效果最好。最后采用Photoshop软件进行表面润湿性分析,验证在200 kV/m处理6天效果最佳。该试验初步筛选出了适宜柠檬贮藏的高压静电场电磁学的最佳参数,可为今后实际应用过程中选取合适的电场强度提供理论依据。