外源Si对水稻生长状况及稻瘟病抗性的影响

外源Si对提高水稻对病害的抗性有显著影响,但水稻应激防御系统对外源Si的响应机制尚缺乏深入研究。为探究不同浓度外源Si对稻瘟病胁迫下水稻的生长状况、产量及抗性的影响,在人工接种稻瘟病菌的条件下进行水稻盆栽试验。测算了水稻株高、穗数、穗长、地上部生物量和千粒重等生长数据,同时测量了水稻稻穗中MDA的含量和防御相关酶(PPO、CAT、SOD、POD)的活性。结果表明,施Si处理使水稻的稻瘟病病情指数下降了44.47%;显著提高了稻穗中PPO、CAT和SOD的活性,降低了POD的活性和MDA含量,缓解了稻瘟病引起的氧化胁迫;显著增加水稻株高,使其茎叶更加挺直,降低病菌的感染和传播;最终提高地上部干物质量积累,相比染病组的产量提高61.2%。因此,Si能够通过参与植物生理代谢过程,有效增强水稻抵御稻瘟病的抗性,提高植株活力,有效减少植株损伤。     

从化区农田耕层土壤有效硅空间分布及影响因素

为探究广州市从化区农田土壤有效硅空间分布及影响因素，以期为促进我国粮食主产区水稻产量增长提供科学依据和参考，采用描述性统计、地统计学、相关性分析与GIS （地理信息系统）技术结合的方法对从化区土壤有效硅开展研究。结果表明，研究区土壤有效硅平均含量为60.31 mg·kg^-1，总体偏低，并呈现中度变异；在中心区域、粮食主产区和丘陵地带，土壤有效硅含量较高；有效硅含量与土壤pH、有机质含量、黏粒含量呈正相关，土地利用方式、成土母质对其也有显著影响。研究表明，在所考虑的影响因素中，成土母质对从化区农田土壤有效硅的影响程度居于首位。     

缓释肥与硅肥配施对油菜产量及菌核病抗性的影响

为解决油菜生产中存在的肥料用量过大、菌核病难以防治的问题,以常规早熟油菜湘油420为材料,设置不施肥(CK)、缓释肥减量15％(SCF–15％)、缓释肥减量30％(SCF–30％)、缓释肥减量50％(SCF–50％)、缓释肥全量施用(SCF)与农民常规施肥(NCF)6个施肥处理,并在相应施肥基础上设置配施硅肥的6个处理...     

外源硅对镉胁迫下玉米生理参数及根系构型分级的影响

为探究镉（Cd）胁迫条件下，施硅（Si）对玉米幼苗生长以及根系构型分级的影响，寻求可缓解Cd对玉米毒害的有效途径，本研究采用水培试验，在Cd胁迫条件下施加不同浓度Si，测定玉米的Cd浓度及含量、生长相关指标、光合指标、根系构型，并将根系构型按根系直径进行分级比较其变化特征。结果表明，Cd胁迫条件下玉米幼苗的生长发育受到抑制，叶绿素含量上升，光合参数显著降低，总根长、根表面积、根体积、根尖数和分枝数，包括Ⅰ~Ⅲ级径级区间的根长，和Ⅰ~Ⅱ级径级区间的根表面积以及根体积显著下降。施加不同浓度Si后，玉米幼苗整株Cd含量降低了12.65%~88.07%，Cd毒害在不同程度上得到缓解，表现为株高、主根长、生物量和耐受指数的提高；总叶绿素含量在Si浓度为0.25 mmol·L^-1时提高了11.76%，Cd胁迫下气孔导度、胞间CO₂浓度和蒸腾速率分别在Si浓度为1.00 mmol·L^-1时显著提高；总根长、分枝数、Ⅰ级径级区间的根长、根表面积和根体积在Si浓度为1.00 mmol·L^-1时达到最大，当Si浓度为1.50 mmol·L^-1时，根表面积和根体积达到峰值。相关性分析表明Ⅰ~Ⅲ级径级区间内的总根长和根表面积，以及Ⅰ~Ⅱ级径级区间的根体积与Cd转运系数呈显著负相关；生长耐受性综合评价表明，总体上1.00 mmol·L^-1外源Si缓解50 μmol·L^-1玉米Cd毒害的效果最佳。结果表明，施Si可通过降低玉米幼苗根系对Cd的吸收、积累和转运，减少地上部的Cd浓度及积累，从而减小Cd对光合系统的影响，提高玉米幼苗生物量，并进一步促进光合产物向地下部的分配，减轻Cd对根系构型的影响，提高玉米耐Cd能力，缓解Cd对玉米的毒害作用。