首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
试验结果表明:100mg/L GA3浸种,清水浸种后嗑种均能极显著地提高苦瓜种的发芽率和发芽势,且前者的平均发芽势显著主于后者,促进发芽的效果最佳1:1500倍BR-120浸种处理也能明显提高苦瓜种子的发芽力,但,单纯100mg/LGA3浸种处理与清水对照的发芽势、发芽率则没有明显差异。  相似文献   

2.
缩节安和氯化钙浸种对种子萌发出苗期棉株耐盐性的调节   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用石英砂溶液培养法,研究缩节安(DPC)和氯化钙溶液浸种处理对种子萌发出苗斯棉株耐盐性的调节作用。结果表明,在150mmol/L NaCI胁迫下,除0.5mg/L DPC和10mmol/L CaCI2浸种处理以外,1.0~3.0mg/LDPC和20~60mmol/L CaCI2浸种均显著降低棉花发芽势、出苗率和二叶斯棉苗干物重;1.0~2.0mg/L DPC和10~60mmol/L CaCI2  相似文献   

3.
卡那霉素胁迫对转基因烟草种子发芽的影响   总被引:5,自引:0,他引:5  
利用花粉管通道法将抗菌肽D基因DNA注入烟草子房,收获的种子经100mg/L卡那霉素浸种发芽,结果显示,未转基因烟草种子的小苗子叶变黄,胚轴变软;转基因种子的小苗子叶始终保持绿色。用胭脂碱合成检验此法有效率达79.2%,表明利用卡那霉素胁迫发芽是前期筛选转基因材料的有效措施。  相似文献   

4.
以砷化物为污染源,研究砷对大豆种子萌发及生理活性物质的影响,结果表明:砷化镓(GaAs)和砷酸钠(Na_3AsO_3三价砷和Na_2HAsO_4五价砷)对大豆种子萌发的影响,在五价砷(GaAs和Na_2HAsO_4)1-5mg/L,三价砷0.1-1mg/L对大豆萌发有促进作用,随着浓度提高,发芽率有所下降;五价砷50mg/L和三价砷10mg/L显著受抑制;五价砷500mg/L和三价砷100mg/L种子萌发完全受抑制,砷化镓与五价砷相类同,砷对异柠檬酸裂解酶(ICL)和超氧物岐化酶(SOD)活性的影响与发芽能力呈正相关,三价砷对ICL和SOD的致钝作用大于五价砷2.5倍,五价砷Na_2HAsO_4大于GaAs。  相似文献   

5.
玉米赤霉烯酮浸种对玉米幼苗抗冷性的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
玉米赤霉烯酮浸种(24h)提高了玉米幼苗的抗寒性。在低温处理中,玉米赤霉烯酮浸种使玉米幼苗叶片的相对电导值较低,超氧化物歧化酶活性较高,游离脯氨酸含量升高,可溶蛋白含量较稳定。0.1mg/L浸种所产生的抗逆效果均优于0.01mg/L。  相似文献   

6.
大豆种子萌发过程中0.1-1m/L三价砷(NaAsO_2)对大豆种子萌发有促进作用,但随砷浓度提高,发芽率有所下降;三价砷浓度达75mg/L时,种子萌发完全受到抑制。种子吸胀过程中砷毒害主要使膜修复系统受到损伤;种子正常吸水萌动后受到砷毒害则导致膜脂过氧化作用、丙二醛含量增加、膜渗漏率增加.砷对异柠檬酸裂解酶和超氧物歧化酶活性的影响与发芽能力呈正相关。  相似文献   

7.
水稻不定芽诱导及人工种子研制   总被引:3,自引:0,他引:3  
在含有2,4—D2mg/l的MS培养基上,诱导水稻成熟胚,产生愈伤组织。继而,在BA2mg/LMS培养基上,诱导不定芽,以不定芽为包理物,制备人工种子、在1/2MSO培养基上发芽,转株率为89.1%,萌发幼苗生长正常。  相似文献   

8.
低浓度(0~100mg/kg)的S-3307在25℃下浸种36h对水稻种子的发芽率、发芽势基本无影响,对种子的发芽指数和活力指数具有一定的抑制作用,但对幼苗的根芽比及根尖脱氢酶活性具有一定的促进作用。高浓度(大于200mg/kg)S-3307浸种可能对芽产生药害,致使生长畸形,甚至降低发芽率。S-3307浸种对水稻种子萌发特性的影响与抑制胚乳α-淀粉酶活性有关。外施GA_3可完全消除S-3307对种子发芽指数、活力指数的抑制作用。  相似文献   

9.
玉米播前浸种及注意事项薛勇浸种能刺激种子增强新陈代谢作用,促进萌发,提高发芽能力,早出苗1天~2天,又有促进壮苗的作用。因此,玉米播前浸种,是一项经济而又简便易行的增产措施,一般可增产10%左右。一、浸种方法1.冷水浸种将种子放在清水中浸泡12小时~...  相似文献   

10.
S-3307浸种对百喜草幼苗生长的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
S-3307浸种对百喜草有促蘖、增根、提高根系活力的效应,对幼苗的生长起初有矮化控长作用,继而会加快生长,其中处理浓度1mg/L与5mg/L到8叶龄时株高、叶长已赶上CK,而且植株粗壮、干重增加,收到培育壮苗的效果。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号